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Specifiche

Modello di prodotti

STS8DN6LF6AG
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 8A 8SO
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STS8DN6LF6AG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

8-SO
Serie

STripFET™
Rds On (max) a Id, Vgs

24 mOhm @ 4A, 10V
Potenza - Max

3.2W
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi

497-17309-6
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1340pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A (Ta) 3.2W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Ta)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STS8DN6LF6AG".

SIT8208AC-3F-25E-40.500000Y

Descrizione: -20 TO 70C, 5032, 10PPM, 2.5V, 4

Produttori: SiTime

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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