STS12N3LLH5

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Specifiche

Modello di prodotti

STS12N3LLH5
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STS12N3LLH5.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

+22V, -20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-SO
Serie

STripFET™ V
Rds On (max) a Id, Vgs

7.5 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.7W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi

497-12346-2
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1290pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 12A (Tc) 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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