STP77N6F6

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Specifiche

Modello di prodotti

STP77N6F6
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N CH 60V 77A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STP77N6F6.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220
Serie

DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (max) a Id, Vgs

7 mOhm @ 38.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

80W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

497-13553-5
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

76nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 77A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

77A (Tc)

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STP77N6F6".

STP7N60M2

Descrizione: MOSFET N-CH 600V TO-220

Produttori: STMicroelectronics

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