STP6NC60

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Specifiche

Modello di prodotti

STP6NC60
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

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Descrizione

MOSFET N-CH 600V 6A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STP6NC60.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220AB
Serie

PowerMESH™ II
Rds On (max) a Id, Vgs

1.2 Ohm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1020pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

45.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 6A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STP6NC60".

STP6NB90

Descrizione: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220

Produttori: STMicroelectronics

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