STP5N105K5

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Specifiche

Modello di prodotti

STP5N105K5
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STP5N105K5.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220
Serie

MDmesh™ K5
Rds On (max) a Id, Vgs

3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

85W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

497-15278-5
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

1050V
Descrizione dettagliata

N-Channel 1050V 3A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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20/05/2025

5.0

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