STP33N60M2

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Specifiche

Modello di prodotti

STP33N60M2
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STP33N60M2.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220
Serie

MDmesh™ II Plus
Rds On (max) a Id, Vgs

125 mOhm @ 13A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

190W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

497-14221-5
STP33N60M2-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1781pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

45.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 26A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

26A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STP33N60M2".

QTE-060-04-L-D-LC-TR

Descrizione: .8MM DOUBLE ROW MI TERMINAL ASSE

Produttori: Samtec, Inc.

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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