STP2NK100Z

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Specifiche

Modello di prodotti

STP2NK100Z
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STP2NK100Z.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220AB
Serie

SuperMESH™
Rds On (max) a Id, Vgs

8.5 Ohm @ 900mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)

70W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

497-7518-5
STP2NK100Z-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

38 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

499pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

1000V
Descrizione dettagliata

N-Channel 1000V 1.85A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

1.85A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 21A

Produttori: STMicroelectronics

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