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STP25N80K5

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Specifiche

Modello di prodotti

STP25N80K5
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STP25N80K5.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220
Serie

SuperMESH5™
Rds On (max) a Id, Vgs

260 mOhm @ 19.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

250W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

497-13653-5
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

800V
Descrizione dettagliata

N-Channel 800V 19.5A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

19.5A (Tc)

Notizie correlate
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Descrizione: MOSFET N-CH 100V 26A TO-220

Produttori: STMicroelectronics

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