STP21NM50N

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Specifiche

Modello di prodotti

STP21NM50N
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STP21NM50N.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220AB
Serie

MDmesh™ II
Rds On (max) a Id, Vgs

190 mOhm @ 9A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

140W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

497-4820-5
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1950pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

500V
Descrizione dettagliata

N-Channel 500V 18A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STP21NM50N".

RWR89S1100FSS73

Descrizione: RES 110 OHM 3W 1% WW AXIAL

Produttori: Dale / Vishay

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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