STP18N60DM2

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Specifiche

Modello di prodotti

STP18N60DM2
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 600V 12A
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STP18N60DM2.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220
Serie

MDmesh™ DM2
Rds On (max) a Id, Vgs

295 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

90W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

497-16338-5
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Notizie correlate
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STP18NM60N

Descrizione:

Produttori: STMicroelectronics

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