STP150N10F7

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Specifiche

Modello di prodotti

STP150N10F7
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STP150N10F7.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220
Serie

DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (max) a Id, Vgs

4.2 mOhm @ 55A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

250W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

497-14570-5
STP150N10F7-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8115pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

117nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 110A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Descrizione: IC RTC CLK/CALENDAR SPI 14-SOIC

Produttori: Micrel / Microchip Technology

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Stal***e

20/05/2025

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