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Specifiche

Modello di prodotti

STP10N62K3
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

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Descrizione

MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STP10N62K3.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220AB
Serie

SuperMESH3™
Rds On (max) a Id, Vgs

750 mOhm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

497-9099-5
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1250pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

620V
Descrizione dettagliata

N-Channel 620V 8.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

8.4A (Tc)

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STP10N62K3".

09553567615741

Descrizione: CONN DSUB RCPT 25POS SMD R/A SLD

Produttori: HARTING

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Stal***e

20/05/2025

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