STL8N65M5

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Specifiche

Modello di prodotti

STL8N65M5
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STL8N65M5.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PowerFLAT™ (5x5)
Serie

MDmesh™ V
Rds On (max) a Id, Vgs

600 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 70W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

14-PowerVQFN
Altri nomi

497-11850-2
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

650V
Descrizione dettagliata

N-Channel 650V 1.4A (Ta), 7A (Tc) 2.5W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount PowerFLAT™ (5x5)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

1.4A (Ta), 7A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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STL8N6F7

Descrizione: MOSFET NCH 60V 36A POWERFLAT

Produttori: STMicroelectronics

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