STL13N60DM2

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Specifiche

Modello di prodotti

STL13N60DM2
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

N-CHANNEL 600 V, 0.350 OHM TYP.,
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.STL13N60DM2.pdf
2.STL13N60DM2.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PowerFlat™ (5x6) HV
Serie

MDmesh™ DM2
Rds On (max) a Id, Vgs

370 mOhm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

52W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerVDFN
Altri nomi

497-16931-2
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

730pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 8A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STL13N60DM2".

STL12N60M2

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT

Produttori: STMicroelectronics

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