STH360N4F6-2

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Specifiche

Modello di prodotti

STH360N4F6-2
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STH360N4F6-2.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

H2Pak-2
Serie

DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (max) a Id, Vgs

1.25 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi

497-14535-2
STH360N4F6-2-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

17930pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

340nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

40V
Descrizione dettagliata

N-Channel 40V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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