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Specifiche

Modello di prodotti

STH15NB50FI
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

STH15NB50FI.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

ISOWATT-218
Serie

PowerMESH™
Rds On (max) a Id, Vgs

360 mOhm @ 7.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

80W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

ISOWATT-218-3
Altri nomi

497-2783-5
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

500V
Descrizione dettagliata

N-Channel 500V 10.5A (Tc) 80W (Tc) Through Hole ISOWATT-218
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

10.5A (Tc)

Notizie correlate
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Descrizione: RES SMD 9.31K OHM 1% 1/2W 1210

Produttori: Yageo

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

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