STGB30V60F

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Specifiche

Modello di prodotti

STGB30V60F
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STGB30V60F.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

2.3V @ 15V, 30A
Condizione di test

400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C

45ns/189ns
di scambio energetico

383µJ (on), 233µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore

D2PAK
Serie

-
Potenza - Max

260W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi

497-16477-2
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso

Standard
Tipo IGBT

Trench Field Stop
carica gate

163nC
Descrizione dettagliata

IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W Surface Mount D2PAK
Corrente - collettore Pulsed (Icm)

120A
Corrente - collettore (Ic) (max)

60A

Notizie correlate
spedizione
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Descrizione: MOD DDR3L SDRAM 16GB 240LRDIMM

Produttori: Micron Technology

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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