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Specifiche

Modello di prodotti

STFW3N150
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STFW3N150.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

ISOWATT-218FX
Serie

PowerMESH™
Rds On (max) a Id, Vgs

9 Ohm @ 1.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

63W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

ISOWATT218FX
Altri nomi

497-10005-5
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

939pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

29.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

1500V
Descrizione dettagliata

N-Channel 1500V 2.5A (Tc) 63W (Tc) Through Hole ISOWATT-218FX
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Produttori: Amphenol Aerospace Operations

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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