STFU16N65M2

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Specifiche

Modello di prodotti

STFU16N65M2
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS
Specifiche

STFU16N65M2.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220FP
Serie

MDmesh™ M2
Rds On (max) a Id, Vgs

360 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

25W (Tc)
Contenitore / involucro

TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

718pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

19.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

650V
Descrizione dettagliata

N-Channel 650V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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STFU23N80K5

Descrizione: MOSFET

Produttori: STMicroelectronics

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