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Specifiche

Modello di prodotti

STFI11N65M2
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STFI11N65M2.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

I2PAKFP (TO-281)
Serie

MDmesh™ II Plus
Rds On (max) a Id, Vgs

670 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

25W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Altri nomi

497-15038-5
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

650V
Descrizione dettagliata

N-Channel 650V 7A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Descrizione: CAP CER 4700PF 50V C0G/NP0 0603

Produttori: KEMET

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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