STF7N60DM2

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Specifiche

Modello di prodotti

STF7N60DM2
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET
Stato Lead senza piombo / RoHS
Specifiche

STF7N60DM2.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4.75V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220FP
Serie

MDmesh™ DM2
Rds On (max) a Id, Vgs

900 mOhm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

25W (Tc)
Contenitore / involucro

TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

324pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 6A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STF7N60DM2".

CDC5806PWG4

Descrizione: IC CLOCK GEN PLL 3.3V 20TSSOP

Produttori: Luminary Micro / Texas Instruments

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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