STF24NM65N

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Specifiche

Modello di prodotti

STF24NM65N
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 650V 19A TO-220FP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STF24NM65N.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220FP
Serie

MDmesh™ II
Rds On (max) a Id, Vgs

190 mOhm @ 9.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

40W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3 Full Pack
Altri nomi

497-11394-5
STF24NM65N-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

650V
Descrizione dettagliata

N-Channel 650V 19A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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CFR-50JB-52-9R1

Descrizione: RES 9.1 OHM 1/2W 5% AXIAL

Produttori: Yageo

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20/05/2025

5.0

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