STF12N50DM2

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Specifiche

Modello di prodotti

STF12N50DM2
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

N-CHANNEL 500 V, 0.299 OHM TYP.,
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STF12N50DM2.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220FP
Serie

MDmesh™ DM2
Rds On (max) a Id, Vgs

350 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

25W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3 Full Pack
Altri nomi

497-16346-5
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

628pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

500V
Descrizione dettagliata

N-Channel 500V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Descrizione:

Produttori: STMicroelectronics

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