STE110NS20FD

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Specifiche

Modello di prodotti

STE110NS20FD
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STE110NS20FD.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

ISOTOP®
Serie

MESH OVERLAY™
Rds On (max) a Id, Vgs

24 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

500W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

ISOTOP
Altri nomi

497-2657-5
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7900pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

504nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

200V
Descrizione dettagliata

N-Channel 200V 110A (Tc) 500W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

Notizie correlate
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