STD96N3LLH6

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Specifiche

Modello di prodotti

STD96N3LLH6
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

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Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STD96N3LLH6.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

DPAK
Serie

DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (max) a Id, Vgs

4.2 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

70W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

497-11214-2
temperatura di esercizio

175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

5.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 80A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STD96N3LLH6".

RNCF1210DTC1R02

Descrizione: RES 1.02 OHM 0.5% 1/4W 1210

Produttori: Stackpole Electronics, Inc.

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RFQ

Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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