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Specifiche

Modello di prodotti

STD60NH03LT4
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STD60NH03LT4.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

DPAK
Serie

STripFET™ III
Rds On (max) a Id, Vgs

9 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

70W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 60A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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