STD3NM50T4

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Specifiche

Modello di prodotti

STD3NM50T4
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 550V 3A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STD3NM50T4.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

DPAK
Serie

MDmesh™
Rds On (max) a Id, Vgs

3 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

46W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

550V
Descrizione dettagliata

N-Channel 550V 3A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STD3NM50T4".

552AD000654DG

Descrizione: VCXO; DIFF/SE; DUAL FREQ; 10-141

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)

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RFQ

Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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