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Specifiche

Modello di prodotti

STD2LN60K3
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STD2LN60K3.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

DPAK
Serie

SuperMESH3™
Rds On (max) a Id, Vgs

4.5 Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

45W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

497-13390-2
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

235pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 2A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STD2LN60K3".

SIT1602BI-81-33E-25.000000X

Descrizione: -40 TO 85C, 7050, 20PPM, 3.3V, 2

Produttori: SiTime

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Stal***e

20/05/2025

5.0

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