STD1NK80Z-1

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Specifiche

Modello di prodotti

STD1NK80Z-1
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STD1NK80Z-1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

I-PAK
Serie

SuperMESH™
Rds On (max) a Id, Vgs

16 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)

45W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi

497-16198-5
STD1NK80Z-1-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

800V
Descrizione dettagliata

N-Channel 800V 1A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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STD19NF20

Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 200V 15A DPAK

Produttori: STMicroelectronics

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