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Specifiche

Modello di prodotti

STD10P6F6
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STD10P6F6.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

DPAK
Serie

DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (max) a Id, Vgs

160 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

35W (Tc)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

497-13424-1
temperatura di esercizio

175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 48V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

P-Channel 60V 10A (Tc) 35W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STD10P6F6".

93C66AT-I/SN

Descrizione: IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8SOIC

Produttori: Micrel / Microchip Technology

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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