STD100N10LF7AG

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Specifiche

Modello di prodotti

STD100N10LF7AG
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STD100N10LF7AG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

DPAK
Serie

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
Rds On (max) a Id, Vgs

9 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

73nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Notizie correlate
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STD105N10F7AG

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 80A DPAK

Produttori: STMicroelectronics

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