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Specifiche

Modello di prodotti

STB6N65M2
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STB6N65M2.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

D2PAK
Serie

MDmesh™
Rds On (max) a Id, Vgs

1.35 Ohm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

60W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi

497-15047-2
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

226pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

9.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

650V
Descrizione dettagliata

N-Channel 650V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STB6N65M2".

OSTVO243150

Descrizione: TERM BLOCK HDR 24POS VERT 3.81MM

Produttori: On-Shore Technology, Inc.

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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