STB14N80K5

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Specifiche

Modello di prodotti

STB14N80K5
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.STB14N80K5.pdf
2.STB14N80K5.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

D2PAK
Serie

MDmesh™ K5
Rds On (max) a Id, Vgs

445 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

130W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

620pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

800V
Descrizione dettagliata

N-Channel 800V 12A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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