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6782788Immagine STB100N10F7.STMicroelectronics

STB100N10F7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    STB100N10F7
  • Costruttore / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    STB100N10F7.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D2PAK
  • Serie
    DeepGATE™, STripFET™ VII
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    8 mOhm @ 40A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    150W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    497-14527-2
    STB100N10F7-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    38 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    4369pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    61nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)
  • Numero di parte base
    STB100N10

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