2014151

SGSD100

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Specifiche

Modello di prodotti

SGSD100
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN DARL 80V 25A TO-247
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SGSD100.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

80V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

3.5V @ 80mA, 20A
Tipo transistor

NPN - Darlington
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247-3
Serie

-
Potenza - Max

130W
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
Altri nomi

497-6727-5
SGSD100-ND
temperatura di esercizio

-
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

-
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 25A 130W Through Hole TO-247-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

500 @ 10A, 3V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500µA
Corrente - collettore (Ic) (max)

25A

Notizie correlate
spedizione
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SGS10N60RUFDTU

Descrizione: IGBT 600V 16A 55W TO220F

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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