SCT30N120

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Specifiche

Modello di prodotti

SCT30N120
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.SCT30N120.pdf
2.SCT30N120.pdf
3.SCT30N120.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.6V @ 1mA (Typ)
Vgs (Max)

+25V, -10V
Tecnologia

SiCFET (Silicon Carbide)
Contenitore dispositivo fornitore

HiP247™
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

100 mOhm @ 20A, 20V
Dissipazione di potenza (max)

270W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
Altri nomi

497-14960
temperatura di esercizio

-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 400V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 20V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

20V
Tensione drain-source (Vdss)

1200V
Descrizione dettagliata

N-Channel 1200V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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