PD85025STR-E

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Specifiche

Modello di prodotti

PD85025STR-E
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

PD85025STR-E.pdf
Modello ECAD
Tensione - Prova

13.6V
Tensione - nominale

40V
Tipo transistor

LDMOS
Contenitore dispositivo fornitore

PowerSO-10RF (Straight Lead)
Serie

-
Alimentazione - uscita

10W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
Altri nomi

497-12513-2
PD85025STR-E-ND
Figura di rumore

-
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Guadagno

17.3dB
Frequenza

870MHz
Descrizione dettagliata

RF Mosfet LDMOS 13.6V 300mA 870MHz 17.3dB 10W PowerSO-10RF (Straight Lead)
Valutazione attuale

7A
Corrente - Test

300mA
Numero di parte base

PD85025

Notizie correlate
spedizione
Metodi di pagamento

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Di seguito sono riportati prodotti correlati "PD85025STR-E".

GP1M005A050H

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

Produttori: Global Power Technologies Group

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RFQ

Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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PD85025STR-E

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