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NAND512R3A2AZA6E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NAND512R3A2AZA6E
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC FLASH 512M PARALLEL 55VFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
  • Modello ECAD
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    60ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    FLASH - NAND
  • Contenitore dispositivo fornitore
    55-VFBGA (8x10)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    55-TFBGA
  • Altri nomi
    497-3615
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    FLASH
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 60ns 55-VFBGA (8x10)
  • Numero di parte base
    NAND512
  • Tempo di accesso
    60ns
CMA2550-0000-000N0U0A27G

CMA2550-0000-000N0U0A27G

Descrizione: XLAMP CMA LIGHT EMITTING DIODE W

Produttori: Cree
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