IRF820

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Specifiche

Modello di prodotti

IRF820
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

IRF820.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220AB
Serie

PowerMESH™ II
Rds On (max) a Id, Vgs

3 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

80W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

497-2733-5
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

315pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

500V
Descrizione dettagliata

N-Channel 500V 4A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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IRF8010STRLPBF

Descrizione:

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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