IRF620

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Specifiche

Modello di prodotti

IRF620
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

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Descrizione

MOSFET N-CH 200V 6A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IRF620.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220AB
Serie

PowerMESH™ II
Rds On (max) a Id, Vgs

800 mOhm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

70W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

497-3135
temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

200V
Descrizione dettagliata

N-Channel 200V 6A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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IRF614STRR

Descrizione: MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay

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