IRF520

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Specifiche

Modello di prodotti

IRF520
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

IRF520.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220AB
Serie

STripFET™ II
Rds On (max) a Id, Vgs

270 mOhm @ 7A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

60W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

497-2782-5
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 10A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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IRF510SPBF

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay

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