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Specifiche

Modello di prodotti

2N7000
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

2N7000.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±18V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-92-3
Serie

STripFET™
Rds On (max) a Id, Vgs

5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1W (Tc)
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Altri nomi

497-3110
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 350mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

350mA (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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2N7000-D74Z

Descrizione:

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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