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2151425Immagine UNR911FJ0L.Panasonic

UNR911FJ0L

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    UNR911FJ0L
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Tipo transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SSMini3-F1
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Potenza - Max
    125mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-89, SOT-490
  • Altri nomi
    UN911FJ-(TX)
    UN911FJTR
    UN911FJTR-ND
    UNR911FJ0LTR
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    80MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 125mW Surface Mount SSMini3-F1
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    30 @ 5mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
1812Y1000102JCR

1812Y1000102JCR

Descrizione: CAP CER 1000PF 100V C0G/NP0 1812

Produttori: Knowles Syfer
In magazzino

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