PSMN4R2-30MLDX

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Specifiche

Modello di prodotti

PSMN4R2-30MLDX
Costruttore / Marca

Nexperia
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

PSMN4R2-30MLDX.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

LFPAK33
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

4.3 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

65W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Altri nomi

1727-1793-2
568-11376-2
568-11376-2-ND
934067971115
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1795pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

29.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

Schottky Diode (Body)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 70A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount LFPAK33
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "PSMN4R2-30MLDX".

PSMN4R0-30YL,115

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

Produttori: Nexperia

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