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PQMB11Z

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PQMB11Z
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP/PNP RET 6DFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Tipo transistor
    2 PNP Pre-Biased (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DFN1010B-6
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Potenza - Max
    230mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-XFDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    1727-2708-2
    568-13229-2
    568-13229-2-ND
    934069743147
    PQMB11Z-ND
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    180MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 180MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    30 @ 5mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
E91F421VNT681MU50T

E91F421VNT681MU50T

Descrizione: CAP ALUM 680UF 20% 420V SNAP

Produttori: Nippon Chemi-Con
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