PMDPB56XNEAX

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Specifiche

Modello di prodotti

PMDPB56XNEAX
Costruttore / Marca

Nexperia
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

PMDPB56XNEAX.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

1.25V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

DFN2020D-6
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

72 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Potenza - Max

485mW (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

6-UDFN Exposed Pad
Altri nomi

1727-2690-2
568-13209-2
568-13209-2-ND
934069878115
PMDPB56XNEAX-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

256pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.1A (Ta) 485mW (Ta) Surface Mount DFN2020D-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A (Ta)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "PMDPB56XNEAX".

PMDPB65UP,115

Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118

Produttori: NXP Semiconductors / Freescale

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