JANSF2N2222AL

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Specifiche

Modello di prodotti

JANSF2N2222AL
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

NPN TRANSISTOR
Stato Lead senza piombo / RoHS

RoHS non conforme
Specifiche

JANSF2N2222AL.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA
Tipo transistor

NPN
Contenitore dispositivo fornitore

TO-18
Serie

Military, MIL-PRF-19500/255
Stato RoHS

RoHS non-compliant
Potenza - Max

500mW
Contenitore / involucro

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Frequenza - transizione

-
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)

50nA
Corrente - collettore (Ic) (max)

800mA

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "JANSF2N2222AL".

JANSF2N2222A

Descrizione: SMALL-SIGNAL BJT

Produttori: Microsemi

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