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JANS2N3499L

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JANS2N3499L
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    SMALL-SIGNAL BJT
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    RoHS non conforme
  • Specifiche
    JANS2N3499L.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    100V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    600mV @ 30mA, 300mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-5
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/366
  • Stato RoHS
    RoHS non-compliant
  • Contenitore / involucro
    TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Produttore tempi di consegna standard
    33 Weeks
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 500mA Through Hole TO-5
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 150mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    10µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    500mA

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C0603C330J5GACAUTO

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Descrizione: CAP CER 33PF 50V C0G/NP0 0603

Produttori: KEMET
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