JAN2N7335

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Specifiche

Modello di prodotti

JAN2N7335
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

JAN2N7335.pdf
Modello ECAD
Tensione - Prova

-
Vgs (th) (max) a Id

1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Serie

Military, MIL-PRF-19500/599
Stato RoHS

Bulk
Rds On (max) a Id, Vgs

750mA
Potenza - Max

1.4W
Polarizzazione

14-DIP (0.300", 7.62mm)
Altri nomi

JAN2N7335-MIL
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)

1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore

JAN2N7335
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

4V @ 250µA
Caratteristica FET

4 P-Channel
Descrizione espansione

Mosfet Array 4 P-Channel 100V 750mA 1.4W Through Hole
Tensione drain-source (Vdss)

Standard
Descrizione

MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

100V

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "JAN2N7335".

JAN2N7224U

Descrizione: MOSFET N-CH TO-267AB

Produttori: Microsemi

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