JAN2N5014

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Specifiche

Modello di prodotti

JAN2N5014
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

NPN TRANSISTOR
Stato Lead senza piombo / RoHS

RoHS non conforme
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

900V
Tipo transistor

NPN
Contenitore dispositivo fornitore

TO-5
Serie

Military, MIL-PRF-19500/727
Stato RoHS

RoHS non-compliant
Potenza - Max

1W
Contenitore / involucro

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Frequenza - transizione

-
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 200mA 1W Through Hole TO-5
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 20mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)

10nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

200mA

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "JAN2N5014".

JAN2N5151

Descrizione: TRANS PNP 80V 2A TO-39

Produttori: Microsemi

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